MMQA6V8T3

更新时间： 2024-09-13 22:46:07

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安森美 - ONSEMI		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
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描述
SC-74 Quad Monolithic Common Anode

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MMQA6V8T3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-74
包装说明：	PLASTIC, CASE 318F-05, SC-74, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	7.14 V
最小击穿电压：	6.46 V	击穿电压标称值：	6.8 V
最大钳位电压：	9.8 V	配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	150 W	元件数量：	4
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4.3 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMQA6V8T3 数据手册

MMQA Quad Common

Anode Series

Preferred Devices

SC−74 Quad Monolithic

Common Anode

Transient Voltage Suppressors

for ESD Protection

http://onsemi.com

This quad monolithic silicon voltage suppressor is designed for

applications requiring transient overvoltage protection capability. It is

intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as

computers, printers, business machines, communication systems,

medical equipment, and other applications. Its quad junction common

anode design protects four separate lines using only one package.

These devices are ideal for situations where board space is at a

premium.

SC−74 QUAD TRANSIENT

VOLTAGE SUPPRESSOR

24 WATTS PEAK POWER

5.6 − 33 VOLTS

Specification Features:

PIN ASSIGNMENT

• SC−74 Package Allows Four Separate Unidirectional Configurations

• Peak Power − Min. 24 W @ 1.0 ms (Unidirectional),

per Figure 5 Waveform

• Peak Power − Min. 150 W @ 20 ms (Unidirectional),

per Figure 6 Waveform

• Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current

• Low Leakage < 2.0 mA

SC−74

PLASTIC

CASE 318F

PIN 1. CATHODE

2. ANODE

• ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the

3. CATHODE

4. CATHODE

5. ANODE

Human Body Model

• Pb−Free Packages are Available

6. CATHODE

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol Value

Unit

MARKING DIAGRAM

Peak Power Dissipation @ 1.0 ms (Note 1)

@ T ≤ 25°C

Peak Power Dissipation @ 20 ms (Note 2) @

150

xxx

≤ 25°C

Total Power Dissipation on FR-5 Board

°P °

°225

1.8

°mW°

mW/°C

(Note 3) @ T = 25°C

xxx = Device Code

Thermal Resistance from Junction−to−Ambi-

ent

556

°C/W

= Date Code

Total Power Dissipation on Alumina Sub-

°P °

°300

2.4

°mW

mW/°C

strate (Note 4) @ T = 25°C

ORDERING INFORMATION

Derate above 25°C

See detailed ordering and shipping information in the table on

page 5 of this data sheet.

Thermal Resistance from Junction−to−Ambi-

ent

417

°C/W

°C

Junction and Storage Temperature Range

T , T

°− 55 to

+150°

stg

DEVICE MARKING INFORMATION

See specific marking information in the device marking table

on page 5 of this data sheet.

Lead Solder Temperature − Maximum (10

Second Duration)

260

°C

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

April, 2004 − Rev. 4

MMQA/D

12 3 4 5 6

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与MMQA6V8T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMQA6V8T3G	ONSEMI	获取价格	150W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318F-05, SC-
MMQA-D	ONSEMI	获取价格	SC-74 Quad Monolithic Common Anode
MMQM-67005L-30/883	TEMIC	获取价格	Multi-Port SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC68,
MMQM-67005L-35	TEMIC	获取价格	Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC68,
MMQM67005L35CB	TEMIC	获取价格	Memory IC,
MMQM-67005L-45	TEMIC	获取价格	Multi-Port SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC68,
MMQM-67005L-55	TEMIC	获取价格	Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC68,
MMQM-67005L-55/883	TEMIC	获取价格	Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC68,
MMQM-67005V-30/883	TEMIC	获取价格	Multi-Port SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC68,
MMQM-67005V-30CB	TEMIC	获取价格	Memory IC,

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