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MMBTH10

更新时间： 2024-05-23 22:23:27

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友台半导体 - UMW		/
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3页	700K
描述
三极管

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MMBTH10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.52
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	650 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTH10 数据手册

UMW

UMW MMBTH10

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

MMBTH10 TRANSISTOR (NPN)

SOT-23

FEATURES

 VHF/UHF Transistor

MARKING: 3EM

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

225

P_C

R_ΘJA

T_j

556

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C=100µA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=25V, I_E=0

0.1

µA

I_EBO

V_EB=2V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE

V_CE=10V, I_C=4mA

I_C=4mA, I_B=0.4mA

V_CE=10V, I_C=4mA

V_CE=10V,I_C=4mA

f=100MHz

DC current gain

V_CE(sat)

V_BE

0.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.95

f_T

650

MHz

Transition frequency

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

0.7

Collector output capacitance

www.umw-ic.com

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