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MMBTA56

更新时间： 2024-11-20 05:49:23
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RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 269K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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MMBTA56 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.08集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MMBTA56 数据手册

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MMBTA56  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
* Collector current  
ICM :  
0.225  
-0.5  
W(Tamb=25OC)  
A
* Collector-base voltage  
-80  
* Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg:  
-55OC to +150OC  
V
:
V
CBO  
SOT-23  
J
COLLECTOR  
3
1
MECHANICAL DATA  
BASE  
0.055(1.40)  
Case: Molded plastic  
*
*
*
*
*
2
0.047(1.20)  
EMITTER  
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.003(0.08)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1
2
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector - Base Breakdown Voltage (I =-100 uA, I =0)  
SYMBOL  
MIN  
-80  
TYP  
-
MAX  
-
UNITS  
V
V(BR)CBO  
C
E
Collector - Emitter Breakdown Voltage(IC= -1mA, IB=0)  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-80  
-4  
-
-
-
-
-
V
V
Emitter - Base Breakdown Voltage (I = -100 uA, I = 0)  
E
C
-
-
-
-
-
Collector Cut - Off Current (VCB= -80V, IE=0)  
Collector Cut - Off Current (VCE= -60V, IB=0)  
DC Current Gain(VCE= -1V, IC= -100mA)  
ICBO  
ICEO  
-0.1  
-0.1  
-
hFE  
100  
-
-
-
Collector - Emitter Saturation Voltage(IC= -100 mA, IB= -10mA)  
Base - Emitter on Voltage(V =-1V,I =-100mA)  
VCE(sat)  
-0.25  
V
VBE(on)  
-
-1.2  
-
V
CE  
C
Transition Frequency(VCE= -1V, IC= -100mA, f =100MHz)  
50  
-
MHz  
f
T
Marking  
2GM  
2007-3  
Note: “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
1234

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