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MMBTA56

更新时间: 2024-01-03 20:01:46
品牌 Logo 应用领域
WEITRON 晶体晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 238K
描述
Driver PNP Transistors

MMBTA56 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.225 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA56 数据手册

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MMBTA55  
MMBTA56  
Driver PNP  
3
1
2
SOT-23  
MMBTA56  
-80  
MMBTA55  
-60  
V
CEO  
-60  
-80  
-4.0  
-4.0  
-5  
MMBTA55=2H, MMBTA56=2GM  
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(3)  
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-80  
MMBTA55  
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-4.0  
-0.1  
u
u
I
=0)  
S
B
-0.1  
-0.1  
-6  
-8  
MMBTA55  
MMBTA56  
_
<
_
<
3.Pulse Test:Pulse Width 300us, Duty Cycle 2.0%  
4. f is defined as the freguency at which hfeextrapolates to unity  
T
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  

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