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MMBTA55

更新时间： 2024-02-03 10:35:50

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管光电二极管高压
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5页	204K
描述
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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MMBTA55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA55 数据手册

MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56

NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

POWER

225 mWatts

60~80 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• NPN and PNP silicon, planar design

• Collector current I_C= 100mA

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-23, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.008 gram

• Marking :

M M B TA 05=B 05 M M B TA 06=B 06

M M B TA 55=B 55 M M B TA 56=B 56

MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL MMBTA05 MMBTA55 MMBTA06 MMBTA56 UNITS

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Circuit Figure

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

4.0

500

NPN

PNP

NPN

PNP

THERMAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

MAX

UNIT

Total Device Dissipation FR-5 Board (Note 1)T

=25^OC

225

1.8

Derate above 25 ^O

mW/^OC

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Rθ^JA

556

^OC/W

Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 2)T

=25^OC

300

2.4

Derate above 25 ^O

mW/^OC

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

Rθ^JA

417

^OC

,TSTG

-55 to 150

NPN

PNP

1.FR-4=70 x 60 x 1mm.

2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5 alumina

STAD-NOV.30.2005

PAGE . 1

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