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MMBTA55

更新时间： 2024-01-26 02:12:35

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SECOS		晶体晶体管光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
4页	217K
描述
Driver Transistor

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MMBTA55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA55 数据手册

MMBTA55 / MMBTA56

PNP Silicon

Elektronische Bauelemente

Driver Transistor

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

SOT-23

Min

Dim

Max

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

Top View

COLLE CTOR

BAS E

E MITTE R

All Dimension in mm

ƔMAXIMUM RATINGS

RATING

SYMBOL

V_CEO

VALUE

-60

-80

-60

-80

UNIT

MMBTA55

MMBTA56

MMBTA55

MMBTA56

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

V_CBO

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

V_EBO

I_C

-4.0

-500

Marking Code: MMBTA55:2H , MMBTA56:2GM

ƔTHERMAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

Total Device Dissipation FR-5 Board⁽¹⁾T_A= 25 к

Derate Above 25 к

SYMBOL

P_D

MAX.

225

1.8

556

300

2.4

417

-55 ~ +150

UNIT

mW / к

к / W

mW / к

к / W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation Alumina Substrate⁽²⁾, T_A= 25 к

Derate Above 25 к

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Junction Temperature Range

1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

R_șJA

P_D

R_șJA

T_J, T_STG

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

http://www.SeCoSGmbH.com/

01-Jun-2002 Rev. A

Any changing of specification will not be informed individual

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