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MMBTA55

更新时间： 2024-01-29 05:48:00

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管
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1页	770K
描述
TRANSISTOR(PNP)

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MMBTA55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA55 数据手册

MMBTA55

TRANSISTOR(PNP)

SOT–23

FEATURES

 Driver Transistors

MARKING:2H

1. BASE

2. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

3. COLLECTOR

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

-60

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-4

Collector Current

-500

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

225

P_C

R_ΘJA

T_j

556

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBOI_C=-100µA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-100µA, I_C=0

-60

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-60

-4

I_CBO

I_CEO

V_CB=-60V, I_E=0

-0.1

µA

V_CE=-60V, I_B=0

Collector cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=-1V, I_C=-10mA

V_CE=-1V, I_C=-100mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V,I_C=-100mA, f=100MHz

100

DC current gain

-0.25

-1.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

f_T

MHz

Transition frequency

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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