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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT6428LT1
MMBT6428LT1 PDF预览

MMBT6428LT1

更新时间： 2024-01-31 03:42:28
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 303K
描述
Amplifier Transistors

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MMBT6428LT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.78Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225774
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08
Samacsys Released Date：2015-08-13 08:40:33Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MMBT6428LT1 数据手册

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by MMBT6428LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
6428LT1 6429LT1  
Unit  
Vdc  
2
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
50  
60  
45  
55  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
6.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
200  
mAdc  
C
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT6428LT1 = 1KM; MMBT6429LT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBT6428  
MMBT6429  
50  
45  
—
—
C
C
B
B
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MMBT6428  
MMBT6429  
60  
55  
—
—
C
E
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc)  
I
µAdc  
µAdc  
µAdc  
CES  
—
—
—
0.1  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
0.01  
0.01  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
1. FR–5 = 1.0  
C
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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MMBT6428LT1 替代型号

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 		200mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
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