MMBF4393LT1G

更新时间： 2024-02-26 04:46:05

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	94K
描述
JFET Switching Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBF4393LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	0.48
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	225750	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-23 (TO-236) CASE 318-08	Samacsys Released Date：	2015-08-13 08:16:25
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	100 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MMBF4393LT1G 数据手册

MMBF4391LT1,

MMBF4392LT1,

MMBF4393LT1

JFET Switching Transistors

N−Channel

http://onsemi.com

Features

2 SOURCE

• Pb−Free Packages are Available

GATE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain−Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

1 DRAIN

Drain−Gate Voltage

Vdc

Gate−Source Voltage

Vdc

MARKING

DIAGRAM

Forward Gate Current

mAdc

G(f)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

SOT−23

Total Device Dissipation FR−5 Board

xx M

CASE 318

STYLE 10

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

556

= Specific Device Code

= Date Code

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

DEVICE MARKING INFORMATION

See specific marking information in the device marking

section on page 2 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

September, 2004 − Rev. 4

MMBF4391LT1/D

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

MMBF4393LT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBF4391	ONSEMI	类似代替	N 沟道开关
MMBF4393LT3G	ONSEMI	类似代替	JFET Switching Transistors
MMBF4393LT1	ONSEMI	类似代替	JFET Switching Transistors

与MMBF4393LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBF4393LT3	ONSEMI	获取价格	30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBF4393LT3G	ONSEMI	获取价格	JFET Switching Transistors
MMBF4393S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MMBF439X	UTC	获取价格
MMBF4416	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel RF Amplifiers
MMBF4416	MOTOROLA	获取价格	Transistor
MMBF4416	ONSEMI	获取价格	N沟道RF放大器
MMBF4416_09	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel RF Amplifiers
MMBF4416A	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel RF Amplifier
MMBF4416A	ONSEMI	获取价格	N 沟道开关

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G 技术参数

MMBF4393LT1G 数据手册

MMBF4393LT1G 替代型号

与MMBF4393LT1G相关器件

与MMBF4393LT1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G 技术参数

MMBF4393LT1G 数据手册

MMBF4393LT1G 替代型号

与MMBF4393LT1G相关器件

与MMBF4393LT1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？