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MMBF0201NLT3 PDF预览

MMBF0201NLT3

更新时间： 2024-02-18 00:50:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 136K
描述
300mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBF0201NLT3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.81配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A
最大漏极电流 (ID)：0.3 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBF0201NLT3 数据手册

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by MMBF0201NLT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT–MODE  
TMOS MOSFET  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–con-  
serving traits.  
r
= 1.0 OHM  
DS(on)  
These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High  
Cell Density, HDTMOS process. Low r  
assures minimal  
DS(on)  
power loss and conserves energy, making this device ideal for use  
in small power management circuitry. Typical applications are  
dc–dc converters, power management in portable and battery–  
powered products such as computers, printers, PCMCIA cards,  
cellular and cordless telephones.  
3
3 DRAIN  
1
2
CASE 318–08, Style 21  
SOT–23 (TO–236AB)  
•
•
Low r  
Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space  
DS(on)  
1
GATE  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Symbol  
V
Value  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
V
GS  
± 20  
Drain Current — Continuous @ T = 25°C  
I
I
300  
240  
750  
mAdc  
A
D
D
Drain Current — Continuous @ T = 70°C  
A
Drain Current — Pulsed Drain Current (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
225  
– 55 to 150  
556  
mW  
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient  
T , T  
J
stg  
R
°C/W  
°C  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
DEVICE MARKING  
N1  
(1) Mounted on G10/FR4 glass epoxy board using minimum recommended footprint.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000  
MMBF0201NLT1  
MMBF0201NLT3  
7″  
12 mm embossed tape  
12 mm embossed tape  
13″  
10,000  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc.  
HDTMOS is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997
123456

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与MMBF0201NLT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBF0202PLT1 ONSEMI

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 		Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
MMBF0202PLT1 MOTOROLA

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF0202PLT1G ONSEMI

获取价格

 		300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
MMBF0202PLT3 MOTOROLA

获取价格

 		300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF102 FAIRCHILD

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 		N-Channel RF Amplifier
MMBF112L MOTOROLA

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 		Transistor
MMBF1374T1 ROCHESTER

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 		50mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 3 PIN
MMBF1374T1 ONSEMI

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 		50mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 3 PIN
MMBF170 FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
MMBF170 TYSEMI

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 		SOT-23

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