是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.8 |
其他特性: | COMPLEMENTARY SERIAL SHIFT RIGHT OUTPUT; J AND KBAR SERIAL INPUT | 计数方向: | RIGHT |
系列: | CMOS | JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.305 mm |
负载电容(CL): | 50 pF | 逻辑集成电路类型: | PARALLEL IN PARALLEL OUT |
最大频率@ Nom-Sup: | 2000000 Hz | 位数: | 4 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
输出极性: | TRUE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP16,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5/15 V |
传播延迟(tpd): | 300 ns | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Shift Registers |
最大供电电压 (Vsup): | 15 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发器类型: | POSITIVE EDGE |
宽度: | 7.62 mm | 最小 fmax: | 2 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MM54C195W | NSC |
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暂无描述 | |
MM54C195W/883 | ROCHESTER |
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Parallel In Parallel Out | |
MM54C195W/883B | TI |
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IC,SHIFT REGISTER,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C195W/883C | TI |
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IC,SHIFT REGISTER,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C20 | NSC |
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Quad 2-Input NAND Gate, Quad 2-Input NOR Gate, Hex Inverter, Triple 3-Input NAND Gate, Dua | |
MM54C200 | TI |
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256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory | |
MM54C200D | TI |
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暂无描述 | |
MM54C200D/883 | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200D/883B | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200D/883C | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |