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MM54C200W/883C

更新时间: 2024-11-16 15:43:23
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 226K
描述
IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC

MM54C200W/883C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDFP-F16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5/15 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class C
子类别:SRAMs表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MM54C200W/883C 数据手册

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