5秒后页面跳转
MM54C200J/883 PDF预览

MM54C200J/883

更新时间: 2024-11-16 15:43:23
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 226K
描述
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC

MM54C200J/883 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5/15 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MM54C200J/883 数据手册

 浏览型号MM54C200J/883的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MM54C200J/883的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MM54C200J/883的Datasheet PDF文件第4页 

与MM54C200J/883相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MM54C200J/883B NSC

获取价格

IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
MM54C200J/883C NSC

获取价格

IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
MM54C200N TI

获取价格

256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory
MM54C200W TI

获取价格

IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C200W/883 NSC

获取价格

IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C200W/883B NSC

获取价格

IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C200W/883C NSC

获取价格

IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C221 NSC

获取价格

Dual Monostable Multivibrator
MM54C221D TI

获取价格

IC,MONOSTABLE MULTIVIBRATOR,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
MM54C221D/883 TI

获取价格

IC,MONOSTABLE MULTIVIBRATOR,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC