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MM54C200N

更新时间: 2024-11-16 12:21:43
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德州仪器 - TI 存储
页数 文件大小 规格书
8页 385K
描述
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

MM54C200N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:1200 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T16
长度:19.305 mm内存密度:256 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:16
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X1
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):15 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MM54C200N 数据手册

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MM54C200,MM74C200  
MM54C200 MM74C200 256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory  
Literature Number: SNOS329A  

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