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MM54C200

更新时间: 2024-11-16 12:21:43
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德州仪器 - TI 存储
页数 文件大小 规格书
8页 385K
描述
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

MM54C200 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89最长访问时间:1200 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5/15 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0006 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.0006 mA
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MM54C200 数据手册

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MM54C200,MM74C200  
MM54C200 MM74C200 256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory  
Literature Number: SNOS329A  

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