是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 1200 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-XDIP-T16 |
JESD-609代码: | e0 | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256X1 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP16,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5/15 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0006 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.0006 mA |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MM54C200D | TI |
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暂无描述 | |
MM54C200D/883 | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200D/883B | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200D/883C | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200D/A+ | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200F | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200J | TI |
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256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory | |
MM54C200J/883 | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200J/883B | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MM54C200J/883C | NSC |
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IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |