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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256X1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5/15 V | 子类别： | SRAMs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MM54C200F | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200J | TI |
获取价格 |
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory |
|
| MM54C200J/883 | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200J/883B | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200J/883C | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200N | TI |
获取价格 |
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory |
|
| MM54C200W | TI |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200W/883 | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200W/883B | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C200W/883C | NSC |
获取价格 |
IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC |
|
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