MM54C200J

更新时间： 2024-11-16 12:21:43

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德州仪器 - TI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	385K
描述
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

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MM54C200J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP16,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	1200 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDIP-T16	JESD-609代码：	e0
长度：	19.43 mm	内存密度：	256 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	16	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256X1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP16,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5/15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	15 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

MM54C200,MM74C200

MM54C200 MM74C200 256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

Literature Number: SNOS329A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MM54C200J/883	NSC	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
MM54C200J/883B	NSC	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
MM54C200J/883C	NSC	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
MM54C200N	TI	获取价格	256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory
MM54C200W	TI	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C200W/883	NSC	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C200W/883B	NSC	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C200W/883C	NSC	获取价格	IC,SRAM,256X1,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC
MM54C221	NSC	获取价格	Dual Monostable Multivibrator
MM54C221D	TI	获取价格	IC,MONOSTABLE MULTIVIBRATOR,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC