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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.8 |
| 计数方向： | RIGHT | 系列： | CMOS |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 逻辑集成电路类型： | PARALLEL IN PARALLEL OUT |
| 最大频率@ Nom-Sup： | 2000000 Hz | 位数： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 传播延迟（tpd）： | 300 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Shift Registers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 15 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发器类型： | POSITIVE EDGE |
| 宽度： | 7.62 mm | 最小 fmax： | 2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MM54C195J/883B | ROCHESTER |
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Parallel In Parallel Out |
|
| MM54C195J/883C | TI |
获取价格 |
IC,SHIFT REGISTER,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
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| MM54C195N | NSC |
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4-Bit Registers |
|
| MM54C195N | TI |
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CMOS SERIES, 4-BIT RIGHT PARALLEL IN PARALLEL OUT SHIFT REGISTER, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLA |
|
| MM54C195W | NSC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MM54C195W/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Parallel In Parallel Out |
|
| MM54C195W/883B | TI |
获取价格 |
IC,SHIFT REGISTER,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C195W/883C | TI |
获取价格 |
IC,SHIFT REGISTER,CMOS,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| MM54C20 | NSC |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate, Quad 2-Input NOR Gate, Hex Inverter, Triple 3-Input NAND Gate, Dua |
|
| MM54C200 | TI |
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256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory |
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