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MJE271

更新时间： 2024-11-01 22:30:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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MJE271 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-225包装说明：CASE 77-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.27Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1500
JEDEC-95代码：TO-225JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzBase Number Matches：1

MJE271 数据手册

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by MJE270/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed specifically for use with the MC3419 Solid–State Subscriber Loop  
Interface Circuit (SLIC).  
2.0 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
POWER DARLINGTON  
TRANSISTORS  
100 VOLTS  
•
•
•
High Safe Operating Area  
@ 40 V, 1.0 s = 0.375 A — TO–126  
I
S/B  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
= 100 Vdc (Min)  
V
CEO(sus)  
High DC Current Gain  
@ 120 mA, 10 V = 1500 (Min)  
15 WATTS  
h
FE  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
100  
100  
5.0  
V
CB  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
— Peak  
I
C
2.0  
4.0  
Base Current  
I
B
0.1  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
15  
0.12  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.5  
0.012  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
8.33  
83.3  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
1234

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MJE271 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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