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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.47 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE2901T | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| MJE2901T | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |
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| MJE2901T | CENTRAL |
获取价格 |
60V,10A,75W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Swit |
|
| MJE2901T | NJSEMI |
获取价格 |
BJT |
|
| MJE2901TLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE2905T | ASI |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJE2955 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,60V,75W) |
|
| MJE2955 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose and Switching Applications |
|
| MJE2955 | CJ |
获取价格 |
TO-220-3L |
|
| MJE2955-G | COMCHIP |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
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