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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.27 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE251 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE251 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 |
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| MJE251LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE251PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MJE252 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE252 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 |
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| MJE252LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE253 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE253 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
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| MJE253 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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