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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE252LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE253 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE253 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistor |
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| MJE253 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| MJE253 | MOTOROLA |
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4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 15 WATTS |
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| MJE253 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 3-Pin TO-126 |
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| MJE253 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-126 |
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| MJE253G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Silicon Power Plastic Transistors 100 VOLTS, 15 WATTS |
|
| MJE253LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
|
| MJE254 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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