5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-225AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE251 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJE251 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 |
|
| MJE251LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE251PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MJE252 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJE252 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 |
|
| MJE252LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE253 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJE253 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| MJE253 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
