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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-225AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE251 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE251 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 |
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| MJE251LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE251PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| MJE252 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE252 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 |
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| MJE252LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE253 | CENTRAL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJE253 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
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| MJE253 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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