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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 900 ns |
| VCEsat-Max： | 1.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD32CT4(TO-251) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| MJD32CT4(TO-252-2L) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| MJD32CT4-A | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage PNP power transistor |
|
| MJD32CT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD32CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
|
| MJD32CTF | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor |
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| MJD32CTF-NBDD002 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD32CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| MJD32CTM | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor |
|
| MJD32C-TP | MCC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer Transistors |
|
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