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MJD13003-I

更新时间： 2024-09-16 21:16:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 133K
描述
TRANSISTOR 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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MJD13003-I 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

MJD13003-I 数据手册

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MJD13003  
High Voltage SWITCHMODET Series  
DPAK For Surface Mount Applications  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
1.5 AMPERES  
400 VOLTS  
This device is designed for high–voltage, high–speed power  
switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly  
suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as  
switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers  
and deflection circuits.  
15 WATTS  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No  
Suffix)  
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
• Reverse Biased SOA with Inductive Loads @ T = 100_C  
C
• Inductive Switching Matrix 0.5 to 1.5 Amp, 25 and 100_C . . .  
CASE 369A–13  
t @ 1.0 A,  
c
100_C is 290 ns (Typ)  
• 700 V Blocking Capability  
• Switching and SOA Applications Information  
• Electrically Similar to the Popular MJE13003  
CASE 369–07  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
400  
700  
9
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
CEO(sus)  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
V
CEV  
V
EBO  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
1.5  
3
I
I
I
CM  
Adc  
Adc  
Base Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
B
0.75  
1.5  
BM  
Emitter Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
E
2.25  
4.5  
EM  
P
P
Total Power Dissipation @ T = 25_C (2)  
1.56  
Watts  
D
A
Derate above 25_C  
0.0125  
W/_C  
Watts  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
15  
D
C
Derate above 25_C  
0.12  
W/_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
_C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
inches  
mm  
Symbol  
Max  
8.33  
80  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (2)  
R
θ
JC  
JA  
L
R
θ
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes  
T
260  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle v 10%.  
(2) When surface mounted on minimum pad sizes recommended.  
SWITCHMODE are trademarks of ON Semiconductor, Inc.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
PublicMJD13003/D  
January, 2001 – Rev. 1  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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