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MJD148T4G

更新时间： 2024-11-04 10:55:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
NPN Silicon Power Transistor

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MJD148T4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.77Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1719878
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 (369C) ISSUE F_1
Samacsys Released Date：2019-09-20 11:21:45Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

MJD148T4G 数据手册

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MJD148  
NPN Silicon Power  
Transistor  
DPAK For Surface Mount Applications  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
POWER TRANSISTOR  
4.0 AMPERES  
45 VOLTS, 20 WATTS  
• High Gain − 50 Min @ I = 2.0 A  
C
• Low Saturation Voltage − 0.5 V @ I = 2.0 A  
C
• High Current Gain − Bandwidth Product − f = 3.0 MHz Min @  
T
I = 250 mAdc  
C
MARKING  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V  
Machine Model, C; >400 V  
• This is a Pb−Free Package  
DIAGRAM  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
AYWW  
J148G  
2
1
3
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
WW  
= Work Week  
J148 = Device Code  
= Pb−Free Package  
V
CEO  
G
V
45  
CB  
EB  
V
5.0  
ORDERING INFORMATION  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
C
4.0  
7.0  
†
Device  
Package  
Shipping  
Base Current  
I
50  
mAdc  
B
MJD148T4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
2500/Tape & Reel  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
20  
0.16  
W
W/°C  
C
D
MJD148T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
D
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
@ T = 25°C  
1.75  
W
A
Derate above 25°C  
0.014  
W/°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JC  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
(Note 1)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
January, 2011 − Rev. 5  
MJD148/D  
 
12345

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MJD148T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NJVMJD148T4G-VF01 ONSEMI

完全替代

 TRANS NPN 45V 4A DPAK-4
NJVMJD148T4G ONSEMI

类似代替

 4 A, 45 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD148T4 ONSEMI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD18002D2 ONSEMI

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MJD18002D2T4G ONSEMI

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 		POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor
MJD200 FAIRCHILD

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 		D-PAK for Surface Mount Applications
MJD200 MOTOROLA

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