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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SIMM, SSIM72 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 85 ns |
| 其他特性： | DECODER AVAILABLE | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SSIM72 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00018 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.254 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH1M09ANZ-15H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS |
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| MH1M09B0AJA-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B0CJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
|
| MH1M09B0CJ-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B0DJA-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS |
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| MH1M09B0DJA-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS |
|
| MH1M09B0JA-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B0JA12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS |
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| MH1M09B1J-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B1J-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
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