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MH1M09JA-10

更新时间: 2024-09-17 20:44:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 428K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS

MH1M09JA-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP30,.2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-609代码:e0
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:9端子数量:30
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SIP30,.2
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:20.574 mm
最大待机电流:0.006 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.675 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

MH1M09JA-10 数据手册

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