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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ZIP, ZIP76/80,.1,.1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | DECODER AVAILABLE | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-T76 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 76 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | ZIP |
| 封装等效代码： | ZIP76/80,.1,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.508 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | ZIG-ZAG |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH1M18ANZ-85H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX18, 85ns, CMOS |
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| MH1M18ANZ-85L | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX18, 85ns, CMOS |
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| MH1M325CDJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 |
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| MH1M325CJJ-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72 |
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| MH1M325CJJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72 |
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| MH1M325CJJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72 |
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| MH1M325CNDJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
|
| MH1M325CNDJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 |
|
| MH1M325CNXJ-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
|
| MH1M325CNXJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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