生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIMM, SIM30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PSMA-N30 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度: | 9 |
端子数量: | 30 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SIM30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 座面最大高度: | 20.574 mm |
最大待机电流: | 0.006 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.675 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MH1M09J-12 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, PSMA30 | |
MH1M09J-15 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, PSMA30 | |
MH1M09JA-10 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS | |
MH1M09JA-12 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS | |
MH1M144CXTJ-6 | MITSUBISHI |
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FAST PAGE MODE 150994944-BIT (1048576-WORD BY 144-BIT)DYNAMIC RAM | |
MH1M18AN-10H | MITSUBISHI |
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SRAM Module, 1MX18, 100ns, CMOS | |
MH1M18AN-10L | MITSUBISHI |
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暂无描述 | |
MH1M18AN-12H | MITSUBISHI |
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SRAM Module, 1MX18, 120ns, CMOS | |
MH1M18AN-15L | MITSUBISHI |
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SRAM Module, 1MX18, 150ns, CMOS | |
MH1M18AN-85H | MITSUBISHI |
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SRAM Module, 1MX18, 85ns, CMOS |