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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , SIP30,.2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 9 | 端子数量： | 30 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | SIP30,.2 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 座面最大高度： | 21.082 mm |
| 最大待机电流： | 0.0045 A | 子类别： | DRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH1M09B1J-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B1J-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B1J-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
|
| MH1M09B1JA-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09B2J-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09J-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, PSMA30 |
|
| MH1M09J-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, PSMA30 |
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| MH1M09J-15 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, PSMA30 |
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| MH1M09JA-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS |
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| MH1M09JA-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS |
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