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MH16S64ZJJ-10

更新时间： 2024-11-18 20:38:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
55页	539K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, DIP-72

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MH16S64ZJJ-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	,	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	8 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH16S64ZJJ-10 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH16S64ZJJ -7,-8A,-8,-10,-10L

1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 16M x 8 Synchronous DRAMs

The MH16S64ZJJ is 16777216 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of eight

industry standard 16Mx8 Synchronous DRAMs in

TSOP and one industory standard EEPROM in

TSSOP.

TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

144-pin (72-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

The mounting of TSOP on a card edge Dual Inline

package provides any application where high

densities and large quantities of memory are

required.

This is a socket type - memory modules, suitable for

easy interchange or addition of modules.

Clock frequency 125MHz(-8A),

100MHz(-7,-8,-10(L))(max.)

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

-7

-8A

-8

6.0ns(CL=3)

100MHz

125MHz

100MHz

6.0ns(CL=3)

8.0ns(CL=3)

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

-10/10L

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

MITSUBISHI

ELECTRIC

MIT-DS-0272-0.0I

12. Oct.1998

( 1 / 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MH16S64ZJJ-8	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIP-72
MH16S64ZJJ-8A	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIP-72
MH16S72ABGA-6	MITSUBISHI	获取价格	暂无描述
MH16S72ABGA-7	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, PBGA124, BGA-124
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