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MH16S72ABGA-7

更新时间： 2024-11-18 21:13:23

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	151K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, PBGA124, BGA-124

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MH16S72ABGA-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA124,12X22,50
针数：	124	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B124	JESD-609代码：	e0
长度：	32 mm	内存密度：	1207959552 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	124	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA124,12X22,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	5.8 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.85 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	18 mm
Base Number Matches：	1

MH16S72ABGA-7 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH16S72ABGA-5,-6,-7

1207959552-BIT (166777216 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM

PIN CONFIGURATION ( TOP VIEW )

DESCRIPTION

The MH16S72ABGA is an 16M word by 72-bit

Sy nchronous DRAM module.This consists of f iv e

industry standard 16M X 16 Sy nchronous DRAMs

in STSOP.

The ICs are mounted on both sides of Similar

FR-5 with BGA package.

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

Type name

(Component SDRAM)

MH16S72ABGA-5

MH16S72ABGA-6

MH16S72ABGA-7

133MHz

100MHz

5.4ns(CL=2)

5.4ns(CL=3)

6ns(CL=2)

L M

G H J K

C D E F

A B

Utilizes industry standard 16M X 16 Synchronous DRAMs in

STSOP package.

124 pin BGA (including 4 Dummy pins)

Single 3.3V +/- 0.3V supply

Clock frequency 100MHz, 133MHz

Fully synchronous operation reference to clock rising edge

Dual bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency - 2/3 (programmable)

Burst length - 1/2/4/8/Full Page (programmable)

Burst type - sequential / interleave (programmable)

Column access - random

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

8192 refresh cycle / 64ms

LVTTL Interface

APPLICATION

Main memory unit for computers, Microcomputer memory,

PDA, Refresh memory for CRT

MITSUBISHI

ELECTRIC

MIT-DS-0408-1.1

11.Jan.2002

(

/ 13 )

12 3 4 5 6 7...13

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