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MH16S72DAMD-8

更新时间： 2024-01-10 13:24:33

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三菱 - MITSUBISHI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
55页	714K
描述
1207959552-BIT (16777216 - WORD BY 72-BIT)Synchronous DRAM

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MH16S72DAMD-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.71
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1207959552 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.018 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.98 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MH16S72DAMD-8 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH16S72DAMD -6,-7,-8

1207959552-BIT (16777216 - WORD BY 72-BIT)Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The MH16S72DAMD is 16777216 - word by 72-bit

Synchronous DRAM module. This consists of

eighteen industry standard 8Mx8 Synchronous

DRAMs in TSOP and one industory standard

EEPROM in TSSOP.

The mounting of TSOP on a card edge Dual

Inline package provides any application where

high densities and large quantities of memory are

required.

85pin

1pin

This is a socket type - memory modules, suitable

for easy interchange or addition of modules.

94pin

95pin

10pin

11pin

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

-6

-7

-8

5.4ns(CL=3)

133MHz

6.0ns(CL=2)

6.0ns(CL=3)

100MHz

124pin

125pin

40pin

41pin

Utilizes industry standard 8M x 8 Sy nchronous DRAMs

TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

168-pin (84-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

Max. Clock frequency -6:133MHz,-7,8:100MHz

Fully synchronous operation referenced to clock

rising edge

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

84pin

168pin

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

Discrete IC and module design conform to

PC100/PC133 specification.

APPLICATION

PC main memory

MITSUBISHI

23.Sep.1999

MIT-DS-0336-0.0

ELECTRIC

( 1 / 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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