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MGFS37G38L2-01

更新时间： 2024-02-17 19:23:00
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 333K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET,

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MGFS37G38L2-01 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：50 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-N6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：17 dB
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM NITRIDEBase Number Matches：1

MGFS37G38L2-01 数据手册

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Specifications are subject to change without notice.  
< S-band High Power GaN HEMT >  
MGFS37G38L2-01  
2.5 – 3.8 GHz / 5W(Psat) x 2  
DESCRIPTION  
The MGFS37G38L2, GaN HEMT with an N-channel Schottky gate,  
is designed for S-band base transmitter station applications.  
FEATURES  
High Voltage Operation : VDS=50V  
High Output Power : 37dBm (typ.) @ Psat, f=3.5GHz, Single Path  
High Efficiency : 60% (typ.) @ Psat, f=3.5GHz, Single Path  
High Gain : 18dB (typ.) @ f=3.5GHz, Single Path  
APPLICATION  
Amplifier for S-band Base Transmitter Station  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
Vds=50V Ids=24mA  
Absolute Maximum Ratings (Case Temperature Tc=25C)  
Symbol  
VDS  
VBR  
VGS  
PT  
Pin  
Tch  
Tstg  
Parameter  
Operating Voltage  
Ratings  
55  
150  
-15  
11.5  
27  
200  
-55 to +150  
Unit  
V
V
V
W
dBm  
C  
C  
Drain-Source Voltage (VGS=-5V)  
Gate–Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Maximum Input Power  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
[ Block Diagram ]  
Recommended Operating Conditions  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Operating Voltage  
Limit  
≦50  
≦4.8  
Unit  
V
IGF  
Forward Gate Current (RG=10, Single Path)  
Reverse Gate Current (RG=10, Single Path)  
Channel Temperature  
mA  
IGR  
Tch  
≦0.6  
≦185  
29  
mA  
C  
dBm  
Pave  
Average Output Power (Single Path)  
Electrical Characteristics (Case Temperature Tc=25C)  
Limits  
Typ.  
Symbol  
Vp  
Parameter  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
- 1.3  
Pinch-Off Voltage  
VDS = 50V, ID = 1.0mA  
- 2.3  
- 1.8  
V
Psat*1  
ηdmax*1  
Gp  
Saturated Output Power*1  
Drain Efficiency*1  
35.5  
-
17  
20  
-
37.0  
60  
18  
-
-
-
-
-
dBm  
%
dB  
VDS = 50V, ID(DC) = 24mA  
f=3.5GHz, Single Path, @ Psat  
Linear Power Gain  
VDS = 50V, ID(DC) = 24mA  
f=3.5GHz, Single Path,  
@ Po = 29.0dBm  
ηd  
Drain Efficiency  
25  
%
ACLR*2  
Adjacent Channel Leakage Ratio*2  
-40  
dBc  
VSWR*1  
Rth  
Load Mismatch Tolerance*1  
Thermal Resistance  
VSWR=10:1, All Phases,  
ΔVf Method, Single Path  
JEDEC JESD22-A114  
JEDEC JESD22-C101  
JEDEC J-STD-020  
No Device Degradation  
13.5  
-
-
C/W  
HBM  
CDM  
MSL  
Human Body Model  
TBD  
TBD  
3
Charge Device Model  
Moisture Sensitivity Level  
*1 : 10%-duty RF Pulse  
*2 : Signal condition (W-CDMA, Test Model 1 64DPCH, PAPR=7.5dB @0.01% CCDF)  
Publication Date : November, 2017  
Data Sheet, CTHA-171107-06  
1
1234

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