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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MGFC45B3436B
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MGFC45B3436B

更新时间： 2024-01-14 07:27:12
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 414K
描述
3.4 - 3.6GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

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MGFC45B3436B 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETICALLY SEALED, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：78 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MGFC45B3436B 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>  
MGFC45B3436B  
3.4 - 3.6GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET  
DESCRIPTION  
The MGFC45B3436B is an internally impedance-matched  
GaAs power FET especially designed for use in 3.4 - 3.6  
GHz band amplifiers.The hermetically sealed metal-ceramic  
package guarantees high reliability.  
OUTLINE DRAWING  
FEATURES  
Class AB operation  
Internally matched to 50(ohm) system  
High output power  
Po(SAT) = 30W (TYP.) @ f=3.4 - 3.6 GHz  
High power gain  
GLP = 11 dB (TYP.) @ f=3.4 - 3.6 GHz  
Distortion  
ACP = -45dBc (TYP.) @ f=3.4 - 3.6 GHz  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
VDS = 12 (V)  
ID = 0.8 (A)  
RG=12 (ohm)  
GF-60  
< Keep safety first in your circuit designs! >  
(Ta=25deg.C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into  
making semiconductor products better and more reliable,  
but there is always the possibility that trouble may occur  
with them.Trouble with semiconductors may lead to personal  
injury, fire or property damage. Remember to give due  
consideration to safety when making your circuit designs,  
with appropriate measures such as (1)placement of  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-15  
Unit  
V
VGDO Gate to drain voltage  
VGSO Gate to source voltage  
MAXID Maximum drain current  
PT *1 Total power dissipation  
-10  
V
10  
A
78  
W
Tch  
Channel temperature  
Storage temperature  
175  
deg.C  
deg.C  
substitutive, auxiliary circuits, (2)use of non-flammable  
material or (3)prevention against any malfunction or mishap.  
Tstg  
-65 / +175  
*1 : Tc=25deg.C  
(Ta=25deg.C)  
ELECTRICAL CARACTERISTICS  
Limits  
Typ.  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
-0.5  
Max.  
-3.0  
VGS(off)  
Po(SAT)  
Gate to source cut-off voltage  
Output power  
VDS = 3V , ID = 100mA  
-
V
VDS=12V, ID(RF off)=0.8A, f=3.4-3.6GHz  
-
45  
-
dBm  
GLP  
ID  
Linear power gain  
Drain current  
10  
-
11  
1.2  
-45  
-
-
dB  
A
VDS=12V, ID(RF off)=0.8A, f=3.4-3.6GHz  
Pout=34dBm  
1.5  
-
ACP *2 Adjacent Channel leakage Power  
Rth(ch-c) *3  
-
dBc  
deg.C/W  
Thermal resistance  
delta Vf method  
-
1.9  
*2 :Mod.3GPP TEST MODEL 1 64code Single Signal  
*3 : Channel-case  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
( 1 / 6 )  
Apr. 2007  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGFC45V3436A MITSUBISHI

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