MGFC5107

更新时间： 2024-02-01 19:47:16

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器
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描述
Ka-Band 3-Stage Self Bias Low Noise Amplifier

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MGFC5107 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
构造：	COMPONENT	增益：	17 dB
最大工作频率：	24000 MHz	最小工作频率：	21000 MHz
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	2
Base Number Matches：	1

MGFC5107 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs MMIC>

PRELIMINARY

Notice : This is not a final specification

Some parametric limits are subject to change.

MGFC5107

Ka-Band 3-Stage Self Bias Low Noise Amplifier

DESCRIPTION

The MGFC5107 is a GaAs MMIC chip

especially designed for 21.0 ~ 24.0 GHz band

Low Noise Amplifier.(LNA) .

BLOCK DIAGRAM

Vd1 Vd2 Vd3

Out

FEATURES

RF frequency : 21.0 to 24.0 GHz

Super Low Noise NF=2.5dB (TYP.)

Single voltage operation

Vg1 Vg2 Vg3

PHOTOGRAPH

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25˚C)

Symbol

Parameter

Values

Unit

Drain bias voltage

Drain bias current

Gate bias voltage

Maximum peak input power overdrive (Duration < 1sec)

Operating temperature range

TBD

dBm

˚C

TBD

TARGET SPECIFICATIONS (Ta=25˚C)

Limits

Symbol

Unit

Parameter

Test conditions

Typ.

Min.

Max.

24.0

Operating frequency

range

Fop

GHz

21.0

17.0

18.0

1.5

Gain

Small signal gain

Small signal gain flatness

Noise figure

On-wafer

Delta gain

measurement

2.5

3.5

2.0:1

VSWR in

VSWR out

Input VSWR

Output VSWR

Output power at 1 dB

compression

(5)

dBm

P1dB

TBD

(17)

Freq=22GHz

Output power at 3rd-

Vd=5V,Id=30mA

Output IP3

TBD

order intercept point

Drain bias voltage

Drain bias current

Gate bias voltage

No need

as of July '98

MITSUBISHI

ELECTRIC

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