5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MGFC47B3538B
MGFC47B3538B PDF预览

MGFC47B3538B

更新时间： 2024-11-11 12:23:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
C band Internally Matched Power GaAs FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

MGFC47B3538B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：115 W
子类别：FET RF Small SignalBase Number Matches：1

MGFC47B3538B 数据手册

 浏览型号MGFC47B3538B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MGFC47B3538B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MGFC47B3538B的Datasheet PDF文件第4页 
<C band Internally Matched Power GaAs FET>  
MGFC47B3538B  
3.5 – 3.8GHz BAND / 50W  
DESCRIPTION  
OUTLINE DRAWING  
The MGFC47B3538B is an internally impedance-matched GaAs  
power FET especially designed for use in 3.5 – 3.8 GHz band  
amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package  
guarantees high reliability.  
FEATURES  
Crass AB operation  
Internally matched to 50(ohm)  
High output power: Po(SAT) = 50 W (typ.)  
High power gain: GP = 10 dB (TPE.) @Po = 37dBm  
Distortion: EVM = 2.0% (TPE.) @ Po = 37dBm  
Recommended Bias Condition  
Vd = 12(V)  
ID = 1.5 (A)  
Rg = 10 ohm  
GF-60  
Keep Safety first in your circuit designs!  
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum  
effort into making semiconductor products better  
and more reliable, but there is always the possibility  
that trouble may occur with them.  
Trouble with semiconductors may lead to personal  
injury, fire or property damage. Remember to give  
due consideration to safety when making your  
circuit designs , with appropriate measure such as  
(I) placement of substitutive , auxiliary circuits , (ii)  
use of non-flammable material or (iii) prevention  
against any malfunction or mishap.  
(Ta=25deg.C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VGDO  
VGSO  
MAXID  
PT *1  
Tch  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Maximum drain current  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Ratings  
-15  
-10  
12  
115  
Unit  
V
V
A
W
175  
-55 / +150  
deg.C  
deg.C  
Tstg  
*1 : Tc=25deg.C  
(Ta=25deg.C)  
Test conditions  
ELECTRICAL CARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Limits  
Typ.  
-
47  
10.5  
2.0  
Unit  
Min.  
-0.5  
-
9.0  
-
Max.  
-3.0  
-
-
3
VGS(off)  
Po(SAT)  
GP  
Gate to source cut-off voltage  
Output power  
Power gain  
VDS = 3V , ID = 100mA  
VDS=12V, ID(RF off)=1.5A, f=3.5-3.8GHz  
V
dBm  
dB  
A
ID  
Drain current  
VDS=12V, ID(RF off)=1.5A, f=3.5-3.8GHz  
Pout=37dBm  
delta Vf method  
EVM *2  
Rth(ch-c) *3  
Error Vector Magnitude  
Thermal resistance  
-
-
1.5  
0.65  
2.5  
1.2  
%
deg.C/W  
*2 :WiMAX Downlink, 64QAM-3/4, Channel Bandwidth: 7MHz  
*3 : Channel-case  
Publication Date : May, 2012  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与MGFC47B3538B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGFC47V5864 MITSUBISHI

获取价格

 		5.8-6.4GHz BAND 50W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
MGFC48B5258 MITSUBISHI

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction
MGFC5107 MITSUBISHI

获取价格

 		Ka-Band 3-Stage Self Bias Low Noise Amplifier
MGFC5108 MITSUBISHI

获取价格

 		Ka-Band 3-Stage Self Bias Low Noise Amplifier
MGFC5109 MITSUBISHI

获取价格

 		Ka-Band 3-Stage Self Bias Low Noise Amplifier
MGFC5110 MITSUBISHI

获取价格

 		Ka-Band 3-Stage Self Bias Low Noise Amplifier
MGFC5211 MITSUBISHI

获取价格

 		K-Band 2-Stage Power Amplifier
MGFC5212 MITSUBISHI

获取价格

 		K-Band 2-Stage Power Amplifier
MGFC5213 MITSUBISHI

获取价格

 		K-Band 2-Stage Power Amplifier
MGFC5214 MITSUBISHI

获取价格

 		Q-Band 2-Stage Power Amplifier

与MGFC47B3538B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证