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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 262K |  |
| 描述 | ||
| Transistor, | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 子类别： | Other Transistors |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFK33M4045-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK33V4045 | MITSUBISHI |
获取价格 |
14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK33V4045_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
X/Ku band internally matched power GaAs FET |
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| MGFK33V4045_97 | MITSUBISHI |
获取价格 |
14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V2228 | MITSUBISHI |
获取价格 |
12.2-12.8GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V2228-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V2228-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V2732 | MITSUBISHI |
获取价格 |
12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V2732-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V2732-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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