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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 27.2 W | 最小功率增益 (Gp)： | 6 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFK35V2228-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V2732 | MITSUBISHI |
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12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V2732-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V2732-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V4045 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V4045_03 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
|
| MGFK35V4045_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
X/Ku band internally matched power GaAs FET |
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| MGFK35V4045-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V4045-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
|
| MGFK36V4045 | MITSUBISHI |
获取价格 |
14.0-14.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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