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Datasheet > MGFK39V4045-01

MGFK39V4045-01 PDF预览

MGFK39V4045-01

更新时间： 2024-02-19 06:04:58

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		局域网放大器功效晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	82K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

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技术参数
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MGFK39V4045-01 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	HIGH RELIABILITY, HIGH EFFICIENCY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	5.6 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

MGFK39V4045-01 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MGFL45V1920A	MITSUBISHI	1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET	获取价格
MGFL45V1920A_04	MITSUBISHI	1.9 - 2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET	获取价格

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