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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 196K |  |
| 描述 | ||
| RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFK35V4045 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V4045_03 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK35V4045_11 | MITSUBISHI |
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X/Ku band internally matched power GaAs FET |
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| MGFK35V4045-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK35V4045-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK36V4045 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK36V4045-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFK37V4045 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 5W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFK37V4045_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
X/Ku band internally matched power GaAs FET |
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| MGFK37V4045_97 | MITSUBISHI |
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14.0-14.5GHz BAND 5W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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