MGFC5212

更新时间： 2024-02-14 19:21:42

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
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描述
K-Band 2-Stage Power Amplifier

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MGFC5212 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	构造：	COMPONENT
增益：	13 dB	最大输入功率 (CW)：	16 dBm
最大工作频率：	26500 MHz	最小工作频率：	24500 MHz
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	2.2
Base Number Matches：	1

MGFC5212 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs MMIC>

PRELIMINARY

Notice : This is not a final specification

Some parametric limits are subject to change.

MGFC5212

K-Band 2-Stage Power Amplifier

DESCRIPTION

The MGFC5212 is a GaAs MMIC chip especially

designed for 24.5 ~ 26.5 GHz band High

Power Amplifier (HPA) .

BLOCK DIAGRAM

Vg1 Vg2

Out

FEATURES

RF frequency : 24.5 to 26.5 GHz

Linear gain : ³ 13 dB

Vd1

Vd2

P1dB : ³ 23 dBm

DC power : Vd = 5 V, Id1 + Id2 = 270 mA

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)

Units

Ratings

Symbol

Parameter

Drain supply voltage

Vd1, Vd2

-3

0.5

Gate supply voltage

Drain current 1

Vg1, Vg2

Id1

120

240

Drain current 2

Id2

dBm

˚C

RF input power

+70

Backside ambient temp.

Storage temp.

-20

-65

Tstg

Tmax

˚C

+175

˚C

+300

Maximum assembly temp.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 ˚C)

Limits

Typ.

Units

Symbol

Parameter

Conditions

Max.

Min.

Gain

13.0

Vd = 5 V

Id1 = 90 mA

Id2 = 180 mA

(RF off)

VSWR in

VSWR out

P1dB

Input VSWR

2.2

Output VSWR

Output power at 1 dB

compression point

f = 24.5, 26.5 GHz

Single tone

23.0

dBm

dBc

f = 24.5, 26.5 GHz

Tow tone(10MHz off)

Pout = 20 dBm

IM3

Inter modulation level

(22.0)

as of July '98

MITSUBISHI

ELECTRIC

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