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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-CQMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-CQMW-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 16.8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF1425BX-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MGF1451A | MITSUBISHI |
获取价格 |
Low Noise MES FET |
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| MGF1601 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor |
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| MGF1601A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1601B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1601B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1601B_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF1801 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGF1801B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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