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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MGF1953A
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MGF1953A

更新时间： 2024-11-20 11:02:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管微波放大器
页数 文件大小 规格书
5页 144K
描述
Microwave Power MES FET

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MGF1953A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, S-CBCC-N4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：6 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A
最大漏极电流 (ID)：0.1 AFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：S-CBCC-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：1 W最小功率增益 (Gp)：4 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGF1953A 数据手册

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Aug. /2004  
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>  
MGF1953A  
Microwave Power MES FET (Leadless Ceramic Package)  
DESCRIPTION  
The MGF1953A is designed for use in S to Ku band power  
amplifiers.  
Outline Drawing  
The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.  
FEATURES  
High gain and High P1dB  
Glp=6.0dB , P1dB=20dBm (Typ.) @ f=12GHz  
Fig.1  
APPLICATION  
S to Ku band power Amplifiers  
QUALITY GRADE  
GG  
RECOMMENDED BIAS CONDITION  
VDS=6V, ID=100mA  
ORDERING INFORMATION  
Tape & reel 3000pcs./reel  
Keep Safety first in your circuit designs!  
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum  
effort into making semiconductor products better  
and more reliable , but there is always the  
possibility that trouble may occur with them.  
Trouble with semiconductors may lead to personal  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25°C )  
Symbol  
VGDO  
VGSO  
ID  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Ratings  
Unit  
V
injury , fire or property damage. Remember to give  
due consideration to safety when making your  
circuit designs , with appropriate measure such  
as (I) placement of substitutive , auxiliary circuits ,  
(ii) use of non-flammable material or (iii) prevention  
against any malfunction or mishap.  
-10  
-10  
400  
V
mA  
W
PT  
Tch  
Tstg  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
1
125  
°C  
°C  
-65 to +125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Ta=25°C )  
Test conditions  
Synbol  
Parameter  
Limits  
TYP.  
-15  
Unit  
MIN.  
-10  
MAX  
--  
V(BR)GDO  
IDSS  
Gate to drain breakdown voltage  
Saturated drain current  
Gate to source cut-off voltage  
Output Power at 1dB gain  
Compression  
Ig=-100µA  
V
mA  
V
VGS=0V,VDS=3V  
VDS=3V,ID=1mA  
105  
-0.3  
18  
200  
-1.4  
20  
400  
-3.5  
--  
VGS(off)  
V
=4V,ID=100mA  
P1dB  
DS  
f=12GHz  
=4V,ID=100mA  
dBm  
V
DS  
Glp  
Linear Power Gain  
4
6
--  
dB  
f=12GHz,Pin=5dBm  
MITSUBISHI  
Aug. /2004  
(1/5)  
12345

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