5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-CXSO-N4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | S-CXSO-N4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 3 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF2407 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| MGF2407A | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| MGF2407A_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| MGF2407A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
|
| MGF2407A-02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
|
| MGF2407A-11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
|
| MGF2415A | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| MGF2415A_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| MGF2415A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
|
| MGF2415A-02 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
