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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
微波 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 260K |  |
| 描述 | ||
| MICROWAVE POWER GaAs FET | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF2407A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| MGF2407A-02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGF2407A-11 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGF2415A | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2415A_1 | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2415A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| MGF2415A-02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGF2430A | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2430A_1 | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2430A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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