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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
微波 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 240K |  |
| 描述 | ||
| MICROWAVE POWER GaAs FET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2.5 W | 最小功率增益 (Gp)： | 6.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF2415A_1 | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2415A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| MGF2415A-02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGF2430A | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2430A_1 | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2430A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| MGF2430A-02 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGF2445 | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF2445-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| MGF2445-11 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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