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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.25 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF1601A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, J |
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| MGF1601B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1601B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1601B_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF1801 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGF1801B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801BT | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801BT_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET |
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