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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.78 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 6 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF1601B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1601B_1 | MITSUBISHI |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1601B_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF1801 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGF1801B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801BT | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1801BT_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| MGF1902B | MITSUBISHI |
获取价格 |
TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET |
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